研制的8英寸碳化硅外延设备，成功突破关键技术及工艺，进一步推进碳化硅电力电子器件制造降本增效，牵引碳化硅行业向低成本、规模化方向发展，也标志着国产第三代半导体专用核心装备迈进“8英寸时代”。

　　据中国电科48所王平透露，此次48所发布的8英寸碳化硅外延设备有三个突破性的指标，分别是采用该设备生产的8英寸生长厚度均匀性小于1.5%、掺杂浓度均匀性小于4%、表面致命缺陷小于0.4个/cm2。这些技术指标的突破，标志着电科装备已成功掌握8吋SiC外延设备相关技术。据悉，目前该设备已完成首轮工艺验证。

　　此前，在6英寸碳化硅外延机型方面，48所收获了国内第三代半导体装备行业的第一大订单。该所研发的芯片制造关键装备碳化硅高温离子注入机已实现100%国产化，稳居国内市场占有率第一。

　　据《中国电子报》报道，中国电科48所王平向记者介绍，碳化硅晶圆面积从6英寸提升至8英寸，主要在两个方面有明显的提升：

　　但是，在提升晶圆面积的同时，如何保证良率是目前需要解决的难题，也是目前8英寸晶圆设备面临的挑战之一。扩大尺寸是产业链降本增效的有效路径之一。但在扩大尺寸的同时，还需要克服大尺寸外延生长反应源沿程损耗突出、温流场分布不均等难题，这些困难均需要通过8英寸晶圆设备来解决。

　　虽然8英寸晶圆设备是目前国内外都在积极布局的新技术，但如今市场仍处于相对蓝海阶段。因此，对于本土宽禁带半导体企业而言，8英寸碳化硅设备的研发，也是一个绝佳的发展道路。

　　此外，王平介绍，48所着力在外延、注入、氧化、激活等专用核心装备上发力突破，结合立式扩散炉、物理气相沉积等通用设备和半导体芯片生产线的建线经验，成为国内唯一具备提供碳化硅整线集成解决方案能力的单位。

　　展会现场，技术人员表示，自主研发的4-6英寸单晶生长炉达到国内先进水平；碳化硅高温离子注入机实现完全自主创新，稳居国内市场占有率第一；6英寸碳化硅外延设备，创造国内第三代半导体装备行业第一大订单；国内首台SiC晶圆缺陷检测设备成功研制，6英寸核心设备整线集成能力大幅跃升。

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